状況 | New & Unused, Original Packing |
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出典 | Contact us |
電圧 - ピーク逆(最大): | Silicon Carbide Schottky |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@: | 10A (DC) |
電圧 - ブレークダウン: | PG-TO220-2 |
シリーズ: | thinQ!™ |
RoHSステータス: | Bulk |
逆回復時間(trrの): | No Recovery Time > 500mA (Io) |
もし、F @抵抗: | 300pF @ 1V, 1MHz |
偏光: | TO-220-2 |
他の名前: | IDH10G65C5 IDH10G65C5-ND SP000925208 |
動作温度 - ジャンクション: | 0ns |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号: | IDH10G65C5XKSA1 |
拡張された説明: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 10A (DC) Through Hole PG-TO220-2 |
ダイオード構成: | 340µA @ 650V |
説明: | DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2 |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース: | 1.7V @ 10A |
電流 - 平均整流(イオ)(ダイオード当たり): | 650V |
Vrと、F @キャパシタンス: | -55°C ~ 175°C |
Email: | [email protected] |