BSC046N02KS G
- 部品型番:
- BSC046N02KS G
- 説明:
- MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 27811 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- データシート:
- BSC046N02KS G.pdf
簡潔な
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規格
| 状況 | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| 出典 | Contact us |
| 電圧 - テスト: | 4100pF @ 10V |
| 電圧 - ブレークダウン: | PG-TDSON-8 |
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 4.6 mOhm @ 50A, 4.5V |
| Vgs（最大）: | 2.5V, 4.5V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| シリーズ: | OptiMOS™ |
| RoHSステータス: | Tape & Reel (TR) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 19A (Ta), 80A (Tc) |
| 偏光: | 8-PowerTDFN |
| 他の名前: | BSC046N02KS G-ND BSC046N02KS GTR BSC046N02KSG BSC046N02KSGAUMA1 SP000379666 |
| 運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 3 (168 Hours) |
| メーカーの標準リードタイム: | 16 Weeks |
| 製造元の部品番号: | BSC046N02KS G |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 27.6nC @ 4.5V |
| IGBTタイプ: | ±12V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 1.2V @ 110µA |
| FET特長: | N-Channel |
| 拡張された説明: | N-Channel 20V 19A (Ta), 80A (Tc) 2.8W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | - |
| 説明: | MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 20V |
| 静電容量比: | 2.8W (Ta), 48W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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