Condizione | New & Unused, Original Packing |
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Origine | Contact us |
Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 50V |
Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 250mV @ 300µA, 10mA |
Tipo transistor: | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Contenitore dispositivo fornitore: | SMINI6-G1 |
Serie: | - |
Resistor - Emitter Base (R2): | 22 kOhms |
Resistor - Base (R1): | 22 kOhms |
Potenza - Max: | 150mW |
imballaggio: | Cut Tape (CT) |
Contenitore / involucro: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Altri nomi: | XP0411200LCT XP4112CT XP4112CT-ND |
Tipo montaggio: | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenza - transizione: | 80MHz |
Descrizione dettagliata: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 80MHz 150mW Surface Mount SMINI6-G1 |
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 60 @ 5mA, 10V |
Corrente - Cutoff collettore (max): | 500nA |
Corrente - collettore (Ic) (max): | 100mA |
Email: | [email protected] |