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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > TPH3206PD
TPH3206PD
TPH3206PD
Modello di prodotti:
TPH3206PD
fabbricante:
Transphorm
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 17A TO220
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
44496 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
TPH3206PD.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (max) a Id:2.6V @ 500µA
Vgs (Max):±18V
Tecnologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:180 mOhm @ 11A, 8V
Dissipazione di potenza (max):96W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:760pF @ 480V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:9.3nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):8V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione dettagliata:N-Channel 600V 17A (Tc) 96W (Tc) Through Hole TO-220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:17A (Tc)
Email:[email protected]

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