TPH2900ENH,L1Q
TPH2900ENH,L1Q
Modello di prodotti:
TPH2900ENH,L1Q
fabbricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 33A SOP8
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
20959 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
TPH2900ENH,L1Q.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (max) a Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-SOP Advance (5x5)
Serie:U-MOSVIII-H
Rds On (max) a Id, Vgs:29 mOhm @ 16.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):78W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerVDFN
Altri nomi:TPH2900ENH,L1Q(M
TPH2900ENHL1QTR
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2200pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:22nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):200V
Descrizione dettagliata:N-Channel 200V 33A (Ta) 78W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:33A (Ta)
Email:[email protected]

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