TPCF8104(TE85L,F,M
- Modello di prodotti:
- TPCF8104(TE85L,F,M
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 30V 6A VS-8
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 67558 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- 1.TPCF8104(TE85L,F,M.pdf2.TPCF8104(TE85L,F,M.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | VS-8 (2.9x1.5) |
| Serie: | U-MOSIV |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 28 mOhm @ 3A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 700mW (Ta) |
| imballaggio: | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro: | 8-SMD, Flat Lead |
| Altri nomi: | TPCF8104FCT TPCF8104FCT-ND TPCF8104FMCT |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1760pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 34nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione dettagliata: | P-Channel 30V 6A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-8 (2.9x1.5) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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