TPC8012-H(TE12L,Q)
- Modello di prodotti:
- TPC8012-H(TE12L,Q)
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 28018 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- 1.TPC8012-H(TE12L,Q).pdf2.TPC8012-H(TE12L,Q).pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SOP (5.5x6.0) |
| Serie: | π-MOSV |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 400 mOhm @ 900mA, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1W (Ta) |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| Altri nomi: | TPC8012-HDKR TPC8012-HDKR-ND TPC8012-HQDKR TPC8012HTE12LQ |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 440pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 11nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 200V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 200V 1.8A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 1.8A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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