TPC6010-H(TE85L,FM
- Modello di prodotti:
- TPC6010-H(TE85L,FM
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 60V 6.1A VS6
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 53218 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- 1.TPC6010-H(TE85L,FM.pdf2.TPC6010-H(TE85L,FM.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.3V @ 100µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | VS-6 (2.9x2.8) |
| Serie: | U-MOSVI-H |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 59 mOhm @ 3.1A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 700mW (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Altri nomi: | TPC6010-H(TE85LFM TPC6010HTE85LFM |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 830pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 12nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 60V 6.1A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-6 (2.9x2.8) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 6.1A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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