TK25E60X5,S1X
- Modello di prodotti:
- TK25E60X5,S1X
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 34115 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- TK25E60X5,S1X.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 4.5V @ 1.2mA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220 |
| Serie: | DTMOSIV-H |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 140 mOhm @ 7.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 180W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 |
| Altri nomi: | TK25E60X5,S1X(S TK25E60X5S1X |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2400pF @ 300V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 60nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 600V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 600V 25A (Ta) 180W (Tc) Through Hole TO-220 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 25A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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