TK20A25D,S5Q(M
- Modello di prodotti:
- TK20A25D,S5Q(M
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 250V 20A TO-220SIS
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 52628 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- 1.TK20A25D,S5Q(M.pdf2.TK20A25D,S5Q(M.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 3.5V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220SIS |
| Serie: | π-MOSVII |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 100 mOhm @ 10A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 45W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 Full Pack |
| Altri nomi: | TK20A25D(Q) TK20A25D(Q)-ND TK20A25DQ TK20A25DS5Q(M |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2550pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 55nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 250V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 250V 20A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 20A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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