TK12A60W,S4VX
TK12A60W,S4VX
Modello di prodotti:
TK12A60W,S4VX
fabbricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione:
MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220SIS
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
30623 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
TK12A60W,S4VX.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (max) a Id:3.7V @ 600µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220SIS
Serie:DTMOSIV
Rds On (max) a Id, Vgs:300 mOhm @ 5.8A, 10V
Dissipazione di potenza (max):35W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3 Full Pack
Altri nomi:TK12A60W,S4VX(M
TK12A60WS4VX
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:890pF @ 300V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:Super Junction
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione dettagliata:N-Channel 600V 11.5A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:11.5A (Ta)
Email:[email protected]

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