TK100L60W,VQ
- Modello di prodotti:
- TK100L60W,VQ
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrizione:
- MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L)
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 46646 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- TK100L60W,VQ.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 3.7V @ 5mA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-3P(L) |
| Serie: | DTMOSIV |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 18 mOhm @ 50A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 797W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-3PL |
| Altri nomi: | TK100L60W,VQ(O TK100L60WVQ |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 15000pF @ 30V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 360nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | Super Junction |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 600V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 600V 100A (Ta) 797W (Tc) Through Hole TO-3P(L) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 100A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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