TJ30S06M3L(T6L1,NQ
- Modello di prodotti:
- TJ30S06M3L(T6L1,NQ
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 60V 30A DPAK-3
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 5877 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- 1.TJ30S06M3L(T6L1,NQ.pdf2.TJ30S06M3L(T6L1,NQ.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 3V @ 1mA |
| Vgs (Max): | +10V, -20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | DPAK+ |
| Serie: | U-MOSVI |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 21.8 mOhm @ 15A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 68W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi: | TJ30S06M3L(T6L1NQ TJ30S06M3LT6L1NQ |
| temperatura di esercizio: | 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 3950pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 80nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 6V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione dettagliata: | P-Channel 60V 30A (Ta) 68W (Tc) Surface Mount DPAK+ |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 30A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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