STB12NM50FDT4
STB12NM50FDT4
Modello di prodotti:
STB12NM50FDT4
fabbricante:
STMicroelectronics
Descrizione:
MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
55198 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
STB12NM50FDT4.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (max) a Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D2PAK
Serie:FDmesh™
Rds On (max) a Id, Vgs:400 mOhm @ 6A, 10V
Dissipazione di potenza (max):160W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:497-5380-2
STB12NM50FDT4-ND
temperatura di esercizio:-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1000pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:12nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):500V
Descrizione dettagliata:N-Channel 500V 12A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

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