SSM6N7002BFU(T5L,F
- Modello di prodotti:
- SSM6N7002BFU(T5L,F
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 63200 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- 1.SSM6N7002BFU(T5L,F.pdf2.SSM6N7002BFU(T5L,F.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 3.1V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore: | US6 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 2.1 Ohm @ 500mA, 10V |
| Potenza - Max: | 300mW |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Altri nomi: | SSM6N7002BFU(T5LFDKR SSM6N7002BFULF(TDKR SSM6N7002BFULF(TDKR-ND |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 17pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione dettagliata: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 200mA 300mW Surface Mount US6 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 200mA |
| Numero di parte base: | SSM6N7002 |
| Email: | [email protected] |
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