Condizione | New & Unused, Original Packing |
---|---|
Origine | Contact us |
Vgs (th) (max) a Id: | 3.9V @ 1mA |
Vgs (Max): | ±20V |
Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO220-3-1 |
Serie: | CoolMOS™ |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 190 mOhm @ 13.1A, 10V |
Dissipazione di potenza (max): | 208W (Tc) |
imballaggio: | Tube |
Contenitore / involucro: | TO-220-3 |
Altri nomi: | SP000013527 SPP20N60C3 SPP20N60C3BKSA1 SPP20N60C3HKSA1-ND SPP20N60C3IN SPP20N60C3X SPP20N60C3XIN SPP20N60C3XIN-ND SPP20N60C3XK |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio: | Through Hole |
Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2400pF @ 25V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 114nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Caratteristica FET: | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Tensione drain-source (Vdss): | 600V |
Descrizione dettagliata: | N-Channel 600V 20.7A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 20.7A (Tc) |
Email: | [email protected] |