SPB18P06PGATMA1
- Modello di prodotti:
- SPB18P06PGATMA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 53800 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- SPB18P06PGATMA1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | D²PAK (TO-263AB) |
| Serie: | SIPMOS® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 130 mOhm @ 13.2A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 81.1W (Ta) |
| imballaggio: | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi: | SPB18P06PGATMA1CT SPB18P06PGINCT SPB18P06PGINCT-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 860pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 28nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione dettagliata: | P-Channel 60V 18.7A (Ta) 81.1W (Ta) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 18.7A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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