SIHB22N60ET1-GE3
- Modello di prodotti:
- SIHB22N60ET1-GE3
- fabbricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 600V 21A TO263
- quantità disponibile:
- 24638 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- SIHB22N60ET1-GE3.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-263 (D²Pak) |
| Serie: | E |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 180 mOhm @ 11A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 227W (Tc) |
| imballaggio: | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi: | SIHB22N60ET1-GE3CT |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1920pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 86nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 600V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 600V 21A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 21A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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