SIA814DJ-T1-GE3
- Modello di prodotti:
- SIA814DJ-T1-GE3
- fabbricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 75338 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- SIA814DJ-T1-GE3.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±12V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Serie: | LITTLE FOOT® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 61 mOhm @ 3.3A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1.9W (Ta), 6.5W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Altri nomi: | SIA814DJ-T1-GE3TR SIA814DJT1GE3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 340pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 11nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | Schottky Diode (Isolated) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 30V 4.5A (Tc) 1.9W (Ta), 6.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 4.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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