SI8851EDB-T2-E1
- Modello di prodotti:
- SI8851EDB-T2-E1
- fabbricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 20V 7.7A MICRO FOOT
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 27980 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- SI8851EDB-T2-E1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±8V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | Power Micro Foot® (2.4x2) |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 8 mOhm @ 7A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 660mW (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 30-XFBGA |
| Altri nomi: | SI8851EDB-T2-E1TR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 6900pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 180nC @ 8V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione dettagliata: | P-Channel 20V 7.7A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount Power Micro Foot® (2.4x2) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 7.7A (Ta) |
| Numero di parte base: | SI8851 |
| Email: | [email protected] |
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