SI6954ADQ-T1-GE3
SI6954ADQ-T1-GE3
Modello di prodotti:
SI6954ADQ-T1-GE3
fabbricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
45692 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
SI6954ADQ-T1-GE3.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (max) a Id:1V @ 250µA (Min)
Contenitore dispositivo fornitore:8-TSSOP
Serie:TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:53 mOhm @ 3.4A, 10V
Potenza - Max:830mW
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Altri nomi:SI6954ADQ-T1-GE3CT
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:33 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:16nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.1A 830mW Surface Mount 8-TSSOP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:3.1A
Numero di parte base:SI6954
Email:[email protected]

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