SI5509DC-T1-GE3
- Modello di prodotti:
- SI5509DC-T1-GE3
- fabbricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descrizione:
- MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 38827 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- SI5509DC-T1-GE3.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 1206-8 ChipFET™ |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 52 mOhm @ 5A, 4.5V |
| Potenza - Max: | 4.5W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SMD, Flat Lead |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 455pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 6.6nC @ 5V |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione dettagliata: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 6.1A, 4.8A 4.5W Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 6.1A, 4.8A |
| Numero di parte base: | SI5509 |
| Email: | [email protected] |
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