Condizione | New & Unused, Original Packing |
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Origine | Contact us |
Vgs (th) (max) a Id: | 1.5V @ 250µA |
Vgs (Max): | ±12V |
Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore: | SOT-23-3 (TO-236) |
Serie: | TrenchFET® |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 68 mOhm @ 2.9A, 4.5V |
Dissipazione di potenza (max): | 1.1W (Ta), 1.7W (Tc) |
imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Altri nomi: | SI2300DS-T1-GE3TR SI2300DST1GE3 |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio: | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 320pF @ 15V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 10nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Caratteristica FET: | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 4.5V |
Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
Descrizione dettagliata: | N-Channel 30V 3.6A (Tc) 1.1W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 3.6A (Tc) |
Email: | [email protected] |