SI1036X-T1-GE3
- Modello di prodotti:
- SI1036X-T1-GE3
- fabbricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descrizione:
- MOSFET 2 N-CH 30V 610MA SC89-6
- quantità disponibile:
- 75031 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- SI1036X-T1-GE3.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SC-89-6 |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 540 mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Potenza - Max: | 220mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SOT-563, SOT-666 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 36pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 1.2nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Standard |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione dettagliata: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 610mA (Ta) 220mW Surface Mount SC-89-6 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 610mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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