SI1024X-T1-E3
SI1024X-T1-E3
Modello di prodotti:
SI1024X-T1-E3
fabbricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SOT563F
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
57560 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
SI1024X-T1-E3.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (max) a Id:900mV @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:SC-89-6
Serie:TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:700 mOhm @ 600mA, 4.5V
Potenza - Max:250mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SOT-563, SOT-666
Altri nomi:SI1024X-T1-E3TR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:0.75nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 485mA 250mW Surface Mount SC-89-6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:485mA
Numero di parte base:SI1024
Email:[email protected]

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