RF4C050APTR
- Modello di prodotti:
- RF4C050APTR
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 20V 10A 8HUML
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 60114 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- 1.RF4C050APTR.pdf2.RF4C050APTR.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 1mA |
| Vgs (Max): | -8V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | HUML2020L8 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 26 mOhm @ 5A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2W (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-PowerUDFN |
| Altri nomi: | Q7763030AZ RF4C050AP RF4C050AP-ND T2198597 |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 40 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 5500pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 55nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione dettagliata: | P-Channel 20V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount HUML2020L8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 10A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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