RCD100N19TL
- Modello di prodotti:
- RCD100N19TL
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 190V 10A CPT3
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 6222 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- RCD100N19TL.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | CPT3 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 182 mOhm @ 5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 850mW (Ta), 20W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi: | RCD100N19TLTR |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2000pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 52nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 190V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 190V 10A (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc) Surface Mount CPT3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 10A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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