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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-singolo > R6030835ESYA
R6030835ESYA
Modello di prodotti:
R6030835ESYA
fabbricante:
Powerex, Inc.
Descrizione:
DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
58449 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
R6030835ESYA.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tensione - diretta (Vf) (max) a If:1.5V @ 800A
Tensione - inversa (Vr) (max):800V
Contenitore dispositivo fornitore:DO-205AB, DO-9
Velocità:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie:-
Tempo di ripristino inverso (trr):2µs
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:DO-205AB, DO-9, Stud
Temperatura di funzionamento - Giunzione:-45°C ~ 150°C
Tipo montaggio:Chassis, Stud Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo diodo:Standard
Descrizione dettagliata:Diode Standard 800V 350A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9
Corrente - Dispersione inversa a Vr:50mA @ 800V
Corrente - raddrizzata media (Io):350A
Capacità a Vr, F:-
Email:[email protected]

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Parti relative per R6030835ESYA

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
R6030825HSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB Inchiesta
R6030622PSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 600V 220A DO205AB Inchiesta
R6031025HSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205 Inchiesta
R6030225HSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 200V 250A DO205AB Inchiesta
R6030435ESYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 400V 350A DO205AB Inchiesta
R6031022PSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205 Inchiesta
R6030KNZC8 Image R6030KNZC8 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF Inchiesta
R6030822PSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB Inchiesta
R6030425HSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 400V 250A DO205AB Inchiesta
R6030235ESYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 200V 350A DO205AB Inchiesta
R6030KNZ1C9 Image R6030KNZ1C9 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247 Inchiesta
R6030ENZC8 Image R6030ENZC8 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF Inchiesta
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R6030MNX Image R6030MNX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM Inchiesta
R6030KNXC7 Image R6030KNXC7 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM Inchiesta
R6030625HSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB Inchiesta
R6030422PSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 400V 220A DO205AB Inchiesta
R6030635ESYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB Inchiesta
R6030ENX Image R6030ENX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 30A TO220 Inchiesta
R6030ENZ1C9 Image R6030ENZ1C9 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 30A TO247 Inchiesta

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