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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > PMZB200UNEYL
PMZB200UNEYL
PMZB200UNEYL
Modello di prodotti:
PMZB200UNEYL
fabbricante:
Nexperia
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V SOT883
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
22870 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
PMZB200UNEYL.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (max) a Id:950mV @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:DFN1006B-3
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:250 mOhm @ 1.4A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):350mW (Ta), 6.25W (Tc)
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:3-XFDFN
Altri nomi:1727-2327-1
568-12613-1
568-12613-1-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:89pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:2.7nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):1.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:N-Channel 30V 1.4A (Ta) 350mW (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount DFN1006B-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:1.4A (Ta)
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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