PMXB350UPEZ
- Modello di prodotti:
- PMXB350UPEZ
- fabbricante:
- Nexperia
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 20V 1.2A 3DFN
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 78781 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- PMXB350UPEZ.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 950mV @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±8V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | DFN1010D-3 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 447 mOhm @ 1.2A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 360mW (Ta), 5.68W (Tc) |
| imballaggio: | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro: | 3-XDFN Exposed Pad |
| Altri nomi: | 1727-1473-1 568-10944-1 568-10944-1-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 8 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 116pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 2.3nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 1.2V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione dettagliata: | P-Channel 20V 1.2A (Ta) 360mW (Ta), 5.68W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 1.2A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per PMXB350UPEZ
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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PMXB120EPEZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 30V 2.4A DFN1010D-3 | Inchiesta |
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PMXB120EPEZ | Nexperia | MOSFET P-CH 30V 2.4A 3DFN | Inchiesta |
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PMXB40UNE | Nexperia | MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN | Inchiesta |
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PMXB40UNEZ | Nexperia | MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN | Inchiesta |
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PMXB56ENZ | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3G | Inchiesta |
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PMXB56EN | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN | Inchiesta |
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PMXB120EPE | Nexperia | MOSFET P-CH 30V 2.4A 3DFN | Inchiesta |
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PMXB56EN | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN | Inchiesta |
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PMXB350UPEZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V 1.2A DFN1010D-3 | Inchiesta |
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SI4378DY-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC | Inchiesta |
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PMXB360ENEAZ | Nexperia | MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN | Inchiesta |
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PMXB43UNEZ | Nexperia | MOSFET N-CH 20V 3.2A 3DFN | Inchiesta |
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PMXB65UPEZ | Nexperia | MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G | Inchiesta |
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IXTH76N25T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 250V 76A TO-247 | Inchiesta |
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PMXB40UNEZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G | Inchiesta |
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PMXB360ENEAZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3 | Inchiesta |
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PMXB75UPEZ | Nexperia | MOSFET P-CH 20V DFN1010D-3G | Inchiesta |
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AOD4185L_003 | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET P-CHANNEL 40V 40A TO252 | Inchiesta |
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