PMGD130UN,115
- Modello di prodotti:
- PMGD130UN,115
- fabbricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 20V 1.2A 6TSSOP
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 34403 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- PMGD130UN,115.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 6-TSSOP |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 145 mOhm @ 1.2A, 4.5V |
| Potenza - Max: | 390mW |
| imballaggio: | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Altri nomi: | 568-10792-1 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 83pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 1.3nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione dettagliata: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 1.2A 390mW Surface Mount 6-TSSOP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 1.2A |
| Email: | [email protected] |
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