PD20010-E
- Modello di prodotti:
- PD20010-E
- fabbricante:
- STMicroelectronics
- Descrizione:
- TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 45373 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- PD20010-E.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tensione - Prova: | 13.6V |
| Tensione - nominale: | 40V |
| Tipo transistor: | LDMOS |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PowerSO-10RF (Formed Lead) |
| Serie: | - |
| Alimentazione - uscita: | 10W |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) |
| Altri nomi: | 497-13044-5 PD20010-E-ND PD20010E |
| Figura di rumore: | - |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 25 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Guadagno: | 11dB |
| Frequenza: | 2GHz |
| Descrizione dettagliata: | RF Mosfet LDMOS 13.6V 150mA 2GHz 11dB 10W PowerSO-10RF (Formed Lead) |
| Valutazione attuale: | 5A |
| Corrente - Test: | 150mA |
| Numero di parte base: | PD20010 |
| Email: | [email protected] |
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