NVATS4A101PZT4G
Modello di prodotti:
NVATS4A101PZT4G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET P-CHANNEL 30V 27A ATPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
74028 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
NVATS4A101PZT4G.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (max) a Id:2.6V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:ATPAK
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:30 mOhm @ 13A, 10V
Dissipazione di potenza (max):36W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:25 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:875pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:18.5nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:P-Channel 30V 27A (Ta) 36W (Tc) Surface Mount ATPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:27A (Ta)
Email:[email protected]

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