NTJD4152PT1G
NTJD4152PT1G
Modello di prodotti:
NTJD4152PT1G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
22794 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
NTJD4152PT1G.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (max) a Id:1.2V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:260 mOhm @ 880mA, 4.5V
Potenza - Max:272mW
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Altri nomi:NTJD4152PT1GOSDKR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:48 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:155pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:2.2nC @ 4.5V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 880mA 272mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:880mA
Numero di parte base:NTJD4152P
Email:[email protected]

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