NTH027N65S3F-F155
- Modello di prodotti:
- NTH027N65S3F-F155
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- SF3 FRFET 650V 27MOHM
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 79768 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- NTH027N65S3F-F155.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 7.5mA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-247-3 |
| Serie: | FRFET®, SuperFET® II |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 27.4 mOhm @ 35A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 595W (Tc) |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 |
| Altri nomi: | NTH027N65S3F-F155OS |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | Not Applicable |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 7690pF @ 400V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 259nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 650V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 650V 75A (Tc) 595W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 75A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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