NTGD3133PT1G
Modello di prodotti:
NTGD3133PT1G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
66223 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
NTGD3133PT1G.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (max) a Id:1.4V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:6-TSOP
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:145 mOhm @ 2.2A, 4.5V
Potenza - Max:560mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:400pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:5.5nC @ 4.5V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.6A 560mW Surface Mount 6-TSOP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:1.6A
Email:[email protected]

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