Condizione | New & Unused, Original Packing |
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Origine | Contact us |
Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 250µA |
Vgs (Max): | ±20V |
Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore: | I-PAK |
Serie: | - |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 15 mOhm @ 30A, 10V |
Dissipazione di potenza (max): | 1.26W (Ta), 32.6W (Tc) |
imballaggio: | Tube |
Contenitore / involucro: | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo montaggio: | Through Hole |
Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 770pF @ 12V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 6.6nC @ 4.5V |
Tipo FET: | N-Channel |
Caratteristica FET: | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 11.5V |
Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
Descrizione dettagliata: | N-Channel 30V 6.9A (Ta), 35A (Tc) 1.26W (Ta), 32.6W (Tc) Through Hole I-PAK |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 6.9A (Ta), 35A (Tc) |
Email: | [email protected] |