NDTL01N60ZT1G
NDTL01N60ZT1G
Modello di prodotti:
NDTL01N60ZT1G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 0.25A SOT223-4
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
26613 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
NDTL01N60ZT1G.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (max) a Id:4.5V @ 50µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-223 (TO-261)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:15 Ohm @ 400mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):2W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-261-4, TO-261AA
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:92pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:4.9nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione dettagliata:N-Channel 600V 250mA (Tc) 2W (Tc) Surface Mount SOT-223 (TO-261)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:250mA (Tc)
Email:[email protected]

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