NDS8858H
- Modello di prodotti:
- NDS8858H
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 43178 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- NDS8858H.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.8V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SO |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 35 mOhm @ 4.8A, 10V |
| Potenza - Max: | 1W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi: | NDS8858HTR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 720pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 30nC @ 10V |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione dettagliata: | Mosfet Array N and P-Channel 30V 6.3A, 4.8A 1W Surface Mount 8-SO |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 6.3A, 4.8A |
| Email: | [email protected] |
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