MT49H32M18CBM-18:B TR
Modello di prodotti:
MT49H32M18CBM-18:B TR
fabbricante:
Micron Technology
Descrizione:
IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
28966 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
MT49H32M18CBM-18:B TR.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina:-
Tensione di alimentazione -:1.7 V ~ 1.9 V
Tecnologia:DRAM
Contenitore dispositivo fornitore:144-µBGA (18.5x11)
Serie:-
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:144-TFBGA
Altri nomi:MT49H32M18CBM-18:B TR-ND
MT49H32M18CBM-18:BTR
temperatura di esercizio:0°C ~ 95°C (TC)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):3 (168 Hours)
Tipo di memoria:Volatile
Dimensione della memoria:576Mb (32M x 18)
Interfaccia di memoria:Parallel
Formato di memoria:DRAM
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata:DRAM Memory IC 576Mb (32M x 18) Parallel 533MHz 15ns 144-µBGA (18.5x11)
Frequenza dell'orologio:533MHz
Numero di parte base:MT49H32M18
Tempo di accesso:15ns
Email:[email protected]

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