MT41J256M8HX-187E:D
Modello di prodotti:
MT41J256M8HX-187E:D
fabbricante:
Micron Technology
Descrizione:
IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
26982 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
MT41J256M8HX-187E:D.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina:-
Tensione di alimentazione -:1.425 V ~ 1.575 V
Tecnologia:SDRAM - DDR3
Contenitore dispositivo fornitore:78-FBGA (9x11.5)
Serie:-
imballaggio:Tray
Contenitore / involucro:78-TFBGA
temperatura di esercizio:0°C ~ 95°C (TC)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):3 (168 Hours)
Tipo di memoria:Volatile
Dimensione della memoria:2Gb (256M x 8)
Interfaccia di memoria:Parallel
Formato di memoria:DRAM
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata:SDRAM - DDR3 Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 533MHz 13.125ns 78-FBGA (9x11.5)
Frequenza dell'orologio:533MHz
Numero di parte base:MT41J256M8
Tempo di accesso:13.125ns
Email:[email protected]

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