MT40A256M16GE-083E AUT:B
- Modello di prodotti:
- MT40A256M16GE-083E AUT:B
- fabbricante:
- Micron Technology
- Descrizione:
- IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14620 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- MT40A256M16GE-083E AUT:B.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina: | - |
| Tensione di alimentazione -: | 1.14 V ~ 1.26 V |
| Tecnologia: | SDRAM - DDR4 |
| Serie: | - |
| Altri nomi: | MT40A256M16GE-083E AUT:B-ND MT40A256M16GE-083EAUT:B |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 125°C (TC) |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria: | Volatile |
| Dimensione della memoria: | 4Gb (256M x 16) |
| Interfaccia di memoria: | Parallel |
| Formato di memoria: | DRAM |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata: | SDRAM - DDR4 Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel 1.2GHz |
| Frequenza dell'orologio: | 1.2GHz |
| Email: | [email protected] |
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