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JANTXV1N6076
Modello di prodotti:
JANTXV1N6076
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
DIODE GEN PURP 50V 1.3A AXIAL
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
8243 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
JANTXV1N6076.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tensione - diretta (Vf) (max) a If:1.76V @ 18.8A
Tensione - inversa (Vr) (max):50V
Contenitore dispositivo fornitore:E-PAK
Velocità:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:Military, MIL-PRF-19500/503
Tempo di ripristino inverso (trr):30ns
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:E, Axial
Altri nomi:1086-19452
1086-19452-MIL
Temperatura di funzionamento - Giunzione:-65°C ~ 155°C
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Tipo diodo:Standard
Descrizione dettagliata:Diode Standard 50V 1.3A Through Hole E-PAK
Corrente - Dispersione inversa a Vr:1µA @ 50V
Corrente - raddrizzata media (Io):1.3A
Capacità a Vr, F:-
Email:[email protected]

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Parti relative per JANTXV1N6076

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
JANTXV1N6073 Microsemi DIODE GEN PURP 50V 850MA AXIAL Inchiesta
JANTXV1N6104 Microsemi TVS DIODE 6.2V 12.71V AXIAL Inchiesta
JANTXV1N6036A Microsemi TVS DIODE 6V 11.3V DO13 Inchiesta
JANTXV1N6103US Image JANTXV1N6103US Microsemi TVS DIODE 5.7V 11.76V B SQ-MELF Inchiesta
JANTXV1N6100 Microsemi TVS DIODE 14CFLATPACK Inchiesta
JANTXV1N6103 Microsemi TVS DIODE 5.7V 11.76V AXIAL Inchiesta
JANTXV1N6103A Microsemi TVS DIODE 5.7V 11.2V AXIAL Inchiesta
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JANTXV1N6074 Microsemi DIODE GEN PURP 100V 850MA AXIAL Inchiesta
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JANTXV1N6041A Microsemi TVS DIODE 10V 16.7V DO13 Inchiesta
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JANTXV1N6078 Microsemi DIODE GEN PURP 150V 1.3A AXIAL Inchiesta
JANTXV1N6081 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 150V 2A AXIAL Inchiesta
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JANTXV1N6103AUS Image JANTXV1N6103AUS Microsemi TVS DIODE 5.7V 11.2V B SQ-MELF Inchiesta

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