Italia
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
Su di noi | Contatto | Richiedi un preventivo |
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > JAN2N6788U
JAN2N6788U
Modello di prodotti:
JAN2N6788U
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
MOSFET N-CH 18-LCC
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
60852 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
JAN2N6788U.pdf
Inchiesta

introduzione

We can supply JAN2N6788U, use the request quote form to request JAN2N6788U pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number JAN2N6788U.The price and lead time for JAN2N6788U depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# JAN2N6788U.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:18-ULCC (9.14x7.49)
Serie:Military, MIL-PRF-19500/555
Rds On (max) a Id, Vgs:350 mOhm @ 6A, 10V
Dissipazione di potenza (max):800mW (Tc)
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:18-CLCC
Altri nomi:JAN2N6788U-MIL
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:18nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione dettagliata:N-Channel 100V 4.5A (Tc) 800mW (Tc) Surface Mount 18-ULCC (9.14x7.49)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:4.5A (Tc)
Email:[email protected]

Richiesta rapida citazione

Modello di prodotti
Quantità
Azienda
E-mail
Numero di telefono
Note / Commenti

Parti relative per JAN2N6788U

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
JAN2N6798U Microsemi MOSFET N-CH 18-LCC Inchiesta
JAN2N6784 Microsemi MOSFET N-CH TO-205AF TO-39 Inchiesta
JAN2N6796 Microsemi MOSFET N-CH TO-205AF TO-39 Inchiesta
JAN2N6796U Microsemi MOSFET N-CH 18-LCC Inchiesta
JAN2N6782 Microsemi MOSFET N-CH TO-205AF TO-39 Inchiesta
JAN2N6788 Microsemi MOSFET N-CH TO-205AF TO-39 Inchiesta
JAN2N6770 Microsemi MOSFET N-CH TO-204AE TO-3 Inchiesta
JAN2N6782U Microsemi MOSFET N-CH 18-LCC Inchiesta
JAN2N6784U Microsemi MOSFET N-CH 18-LCC Inchiesta
JAN2N6766T1 Microsemi MOSFET N-CH TO-254AA Inchiesta
JAN2N6798 Microsemi MOSFET N-CH TO-205AF TO-39 Inchiesta
JAN2N6770T1 Microsemi MOSFET N-CH TO-254AA Inchiesta
JAN2N6802U Microsemi MOSFET N-CH 18-LCC Inchiesta
JAN2N6790U Microsemi MOSFET N-CH 18-LCC Inchiesta
JAN2N6802 Microsemi MOSFET N-CH TO-205AF TO-39 Inchiesta
JAN2N6768T1 Microsemi MOSFET N-CH TO-254AA Inchiesta
JAN2N6768 Microsemi MOSFET N-CH TO-204AE TO-3 Inchiesta
JAN2N6790 Microsemi MOSFET N-CH TO-205AF TO-39 Inchiesta
JAN2N6800 Microsemi MOSFET N-CH TO-205AF TO-39 Inchiesta
JAN2N6800U Microsemi MOSFET N-CH 18-LCC Inchiesta

Latest Notizie