IXTL2N470
- Modello di prodotti:
- IXTL2N470
- fabbricante:
- IXYS Corporation
- Descrizione:
- MOSFET N-CH
- quantità disponibile:
- 36403 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- IXTL2N470.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 6V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | ISOPLUSi5-Pak™ |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 20 Ohm @ 1A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 220W (Tc) |
| Contenitore / involucro: | ISOPLUSi5-Pak™ |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Produttore tempi di consegna standard: | 26 Weeks |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 6860pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 180nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 4700V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 4700V 2A (Tc) 220W (Tc) Through Hole ISOPLUSi5-Pak™ |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 2A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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