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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXFX20N120P
IXFX20N120P
IXFX20N120P
Modello di prodotti:
IXFX20N120P
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 1200V 20A PLUS247
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
36764 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
IXFX20N120P.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tensione - Prova:11100pF @ 25V
Tensione - Ripartizione:PLUS247™-3
Vgs (th) (max) a Id:570 mOhm @ 10A, 10V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Serie:HiPerFET™, PolarP2™
Stato RoHS:Tube
Rds On (max) a Id, Vgs:20A (Tc)
Polarizzazione:TO-247-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
codice articolo del costruttore:IXFX20N120P
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:193nC @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:6.5V @ 1mA
Caratteristica FET:N-Channel
Descrizione espansione:N-Channel 1200V (1.2kV) 20A (Tc) 780W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Tensione drain-source (Vdss):-
Descrizione:MOSFET N-CH 1200V 20A PLUS247
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:1200V (1.2kV)
rapporto di capacità:780W (Tc)
Email:[email protected]

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