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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXFK120N30P3
IXFK120N30P3
IXFK120N30P3
Modello di prodotti:
IXFK120N30P3
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 300V 120A TO-264
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17939 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
IXFK120N30P3.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tensione - Prova:8630pF @ 25V
Tensione - Ripartizione:TO-264AA (IXFK)
Vgs (th) (max) a Id:27 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (Max):10V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Serie:HiPerFET™, Polar3™
Stato RoHS:Tube
Rds On (max) a Id, Vgs:120A (Tc)
Polarizzazione:TO-264-3, TO-264AA
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
codice articolo del costruttore:IXFK120N30P3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:150nC @ 10V
Tipo IGBT:±20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:5V @ 4mA
Caratteristica FET:N-Channel
Descrizione espansione:N-Channel 300V 120A (Tc) 1130W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Tensione drain-source (Vdss):-
Descrizione:MOSFET N-CH 300V 120A TO-264
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:300V
rapporto di capacità:1130W (Tc)
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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