IRFBE20STRR
IRFBE20STRR
Modello di prodotti:
IRFBE20STRR
fabbricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione:
MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
11268 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
IRFBE20STRR.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D2PAK
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:6.5 Ohm @ 1.1A, 10V
Dissipazione di potenza (max):-
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:530pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:38nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):800V
Descrizione dettagliata:N-Channel 800V 1.8A (Tc) Surface Mount D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:1.8A (Tc)
Email:[email protected]

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