IRF9910TR
- Modello di prodotti:
- IRF9910TR
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 60860 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- IRF9910TR.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.55V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SO |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 13.4 mOhm @ 10A, 10V |
| Potenza - Max: | 2W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 900pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 11nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione dettagliata: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 10A, 12A 2W Surface Mount 8-SO |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 10A, 12A |
| Email: | [email protected] |
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