IRF7779L2TRPBF
- Modello di prodotti:
- IRF7779L2TRPBF
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 150V DIRECTFET L8
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 76237 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- IRF7779L2TRPBF.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | DIRECTFET L8 |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 11 mOhm @ 40A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 3.3W (Ta), 125W (Tc) |
| imballaggio: | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro: | DirectFET™ Isometric L8 |
| Altri nomi: | IRF7779L2TRPBFCT |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 6660pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 150nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 150V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 150V 375A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DIRECTFET L8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 375A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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